디메틸아크리딘을 이용한 역전 페로브스카이트 태양전지

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페로브스카이트 반도체1의 도핑과 입자 경계의 패시베이션2은 여전히 어려운 문제이지만 고효율 페로브스카이트 태양전지를 발전시키는 데 필수적입니다. 특히 정공 수송 물질층을 미리 증착하지 않고 페로브스카이트/인듐 주석 산화물(ITO) 쇼트키 접촉 기반 반전 장치를 구축하는 것이 중요합니다3-5. 여기에서는 결정립 경계의 전반적인 패시베이션과 함께 잘 일치하는 p-페로브스카이트/ITO 접촉을 구성하여 25.39%의 인증된 전력 변환 효율(PCE)을 달성하는 디메틸아크리딘 기반 분자 도핑 공정을 보고합니다. 분자는 분자 압출 공정이라고 불리는 클로로벤젠 급냉 결정화 공정에서 전구체 용액에서 입자 경계와 필름 바닥 표면으로 압출되는 것으로 나타났습니다. 분자의 양성자가 제거된 포스폰산기와 페로브스카이트의 폴리요오드화납 사이의 핵심 배위 착물은 기계적 흡수와 전자 전하 이동을 모두 담당하고 페로브스카이트 필름의 p형 도핑을 유도합니다. 우리는 PCE가 25.86%(역방향 스캔)인 챔피언 장치와 1000시간 담금 후 초기 PCE의 96.6%를 유지하는 장치를 달성했습니다.

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다음 저자들은 동등하게 기여했습니다: Qin Tan, Zhaoning Li

남부 과학기술대학교(SUSTech), 광둥성 선전, Xueyuan Rd. 1088, 신소재 연구소(I2M), 심천 전체 스펙트럼 태양광발전 핵심 연구소(FSSEG), 재료 과학 및 공학부 중국

Qin Tan, Zhaoning Li, Guangfu Luo, Xusheng Zhang, Guocong Chen, Han Gao, Dong He, Guoqiang Ma, Jiafeng Wang, Jingwei Xiu, Huqiang Yi 및 Zhubing He

중국 안후이성 허페이 진자이 로드 96호, 중국 과학 기술 대학교 재료 과학 및 공학과, 마이크로 규모의 허페이 국립 물리 과학 연구소

보체 & 타오첸

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